类型：NPN型晶体管
　　材料：硅
　　最大集电极电流：100mA
　　最大集电极-发射极电压：30V
　　最大基极电流：20mA
　　最大耗散功率：300mW
　　截止频率(fT)：250MHz
　　电流增益带宽：250MHz
　　噪声系数：2.5dB（典型值）
　　封装类型：TO-92

2N988A的主要特性包括其高频响应能力，使其非常适合用于射频放大和振荡电路。其截止频率（fT）高达250MHz，确保在高频环境下仍能保持良好的增益性能。此外，该晶体管具有较低的噪声系数，通常在2.5dB左右，这使其在低噪声放大器设计中具有优势。
　　2N988A采用了硅材料，具有良好的热稳定性和可靠性。其最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为30V，能够承受一定的工作压力。最大耗散功率为300mW，适用于中等功率应用。
　　该晶体管的封装形式通常为TO-92，具有良好的散热性能，并且易于焊接和安装。此外，2N988A在高频工作时表现出较低的失真，适用于音频和射频信号的放大。
　　2N988A的电流增益带宽为250MHz，表明其在高频下仍能保持较高的增益能力。这种特性使其成为许多高频电路设计中的首选晶体管。

2N988A广泛应用于射频和高频电路设计中，特别是在低噪声放大器、射频振荡器和射频接收器前端电路中。它常用于通信设备，如无线电台、电视调谐器和射频测试仪器。此外，2N988A还可用于音频放大器的前置放大级，以提高信号的信噪比。在射频模块中，2N988A可用于放大和处理高频信号，确保信号的稳定性和清晰度。由于其良好的高频响应和低噪声特性，该晶体管也常用于射频信号发生器和高频测试设备中。

2N988B, BF199, BF200, 2N5109