2N829A是一款NPN型高频双极结型晶体管(BJT),广泛应用于高频放大器和开关电路中。该晶体管由美国公司制造,具有良好的高频响应和稳定的电气性能,适合在射频(RF)和中频(IF)应用中使用。
类型:NPN型晶体管
最大集电极-发射极电压(VCEO):30V
最大集电极-基极电压(VCBO):50V
最大发射极-基极电压(VEBO):5V
最大集电极电流(IC):100mA
最大功耗(PD):300mW
工作温度范围:-65°C至+200°C
封装形式:TO-18(金属罐封装)
过渡频率(fT):100MHz
电流增益(hFE):40-200(根据档位不同)
2N829A具有出色的高频特性,适用于需要良好信号放大的电路设计。其金属罐封装提供了优良的热稳定性和机械强度,能够在较为恶劣的环境中稳定工作。该晶体管的电流增益范围较宽,可根据具体需求选择不同档位的产品。此外,2N829A还具有较低的噪声系数,适合用于前置放大器等对噪声敏感的应用场景。晶体管的封装设计使其能够有效地散热,延长使用寿命并提高可靠性。
2N829A常用于高频放大器、射频信号放大、中频放大器以及各种开关电路中。其高频特性使其在通信设备、音频放大器、测试仪器以及工业控制系统中得到广泛应用。由于其良好的噪声性能和稳定性,该晶体管也常用于前置放大器和其他对信号完整性要求较高的电路。
2N2218, 2N2219, BF199