您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 2N829A

2N829A 发布时间 时间:2025/9/2 15:47:23 查看 阅读:6

2N829A是一款NPN型高频双极结型晶体管(BJT),广泛应用于高频放大器和开关电路中。该晶体管由美国公司制造,具有良好的高频响应和稳定的电气性能,适合在射频(RF)和中频(IF)应用中使用。

参数

类型:NPN型晶体管
  最大集电极-发射极电压(VCEO):30V
  最大集电极-基极电压(VCBO):50V
  最大发射极-基极电压(VEBO):5V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功耗(PD):300mW
  工作温度范围:-65°C至+200°C
  封装形式:TO-18(金属罐封装)
  过渡频率(fT):100MHz
  电流增益(hFE):40-200(根据档位不同)

特性

2N829A具有出色的高频特性,适用于需要良好信号放大的电路设计。其金属罐封装提供了优良的热稳定性和机械强度,能够在较为恶劣的环境中稳定工作。该晶体管的电流增益范围较宽,可根据具体需求选择不同档位的产品。此外,2N829A还具有较低的噪声系数,适合用于前置放大器等对噪声敏感的应用场景。晶体管的封装设计使其能够有效地散热,延长使用寿命并提高可靠性。

应用

2N829A常用于高频放大器、射频信号放大、中频放大器以及各种开关电路中。其高频特性使其在通信设备、音频放大器、测试仪器以及工业控制系统中得到广泛应用。由于其良好的噪声性能和稳定性,该晶体管也常用于前置放大器和其他对信号完整性要求较高的电路。

替代型号

2N2218, 2N2219, BF199

2N829A推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价