类型：PNP型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：40V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：200mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-65°C至+150°C
　　封装类型：TO-18金属封装
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：在2mA集电极电流下为50至300（根据具体等级）

2N790A 晶体管具有多项显著的电气和物理特性，使其在多种电路设计中表现优异。
　　首先，该晶体管采用TO-18金属封装，具有良好的热稳定性和机械强度，适合在较为严苛的环境中使用。其金属封装也提供了更好的电磁屏蔽性能，有助于减少高频噪声的干扰。
　　其次，2N790A 的电流增益（hFE）范围较宽，从50到300不等，这使得它适用于不同增益需求的放大电路。其增益带宽积为250MHz，表明该晶体管可以在较高频率下工作，适合用于中频放大器和射频前端设计。
　　此外，该晶体管的集电极-发射极饱和压降（VCE(sat)）较低，典型值约为0.2V，这有助于减少开关损耗并提高电路效率。其最大集电极电流为200mA，能够支持中等功率的开关和放大应用。
　　最后，2N790A 的工作温度范围较宽，从-65°C到+150°C，能够在各种工业和军事环境中稳定运行，具有较强的适应性和可靠性。

2N790A 主要用于以下几种应用场景：
　　在模拟电路中，该晶体管常用于构建共射放大器、差分放大器和电压跟随器等结构。由于其较高的增益带宽积和稳定的电气特性，它适合用于音频放大、信号处理和传感器接口电路。
　　在数字电路中，2N790A 可用作开关元件，控制负载的通断。由于其较低的饱和压降和较高的开关速度，它适合用于继电器驱动、LED控制和逻辑门电路中的电平转换。
　　此外，该晶体管也常用于射频（RF）电路中的低噪声前置放大器和混频器，其高频性能使其在通信设备中具有一定的应用价值。
　　在工业和军事领域，2N790A 由于其优异的温度稳定性和可靠性，常用于电源管理、电机控制和仪表测量等关键系统中。

2N3906, BC557, MPSA56