时间：2025/4/28 9:04:35
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VHF160808H5N1ST 是一款高性能、低功耗的 CMOS 静电保护 (ESD) 和瞬态电压抑制 (TVS) 二极管阵列芯片。该器件广泛应用于高速数据接口保护，例如 USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort 等场景。其设计旨在提供强大的 ESD 抑制能力，同时保持低电容特性以确保信号完整性。
VHF160808H5N1ST 的封装形式为超小型 DFN 封装，适合在空间受限的应用中使用。由于其出色的性能和可靠性，该芯片被广泛应用于消费类电子、通信设备以及其他对 ESD 敏感的系统中。
工作电压：5V
峰值脉冲电流：±10A
电容：0.4pF（典型值）
响应时间：≤1ps
最大工作温度范围：-40℃至+85℃
封装类型：DFN1006-2
VHF160808H5N1ST 具有以下显著特点：
1. 极低的负载电容 (0.4pF)，确保在高速数据线上的信号完整性不受影响。
2. 快速的响应时间 (≤1ps)，可以有效抑制瞬态电压尖峰。
3. 提供高达 ±10A 的峰值脉冲电流处理能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 支持双向保护功能，简化了电路设计。
5. 符合 IEC 61000-4-2 国际标准，能够承受高达 ±15kV（空气放电）和 ±8kV（接触放电）的 ESD 冲击。
6. 超小型封装，节省 PCB 布局空间。
7. 无铅环保材料，符合 RoHS 指令要求。
VHF160808H5N1ST 主要应用于需要高可靠性和快速响应的场景，包括但不限于以下领域：
1. 高速数据接口保护，如 USB、HDMI、DisplayPort、LVDS 等。
2. 移动设备中的射频 (RF) 线路保护。
3. 工业自动化设备中的控制信号保护。
4. 消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。
5. 通信设备中的天线端口保护。
6. 医疗设备中的敏感电路保护。
VHF160808H5N1T, PESD5V0H1BA, SMAJ5.0A
