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2N7224 发布时间 时间:2025/7/16 19:47:31 查看 阅读:6

2N7224是一种常用的N沟道功率MOSFET晶体管,广泛用于电源管理和开关应用。该器件采用TO-220封装,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于各种高频率和高电流的开关电路中。2N7224的结构设计使其能够承受较大的电流和电压应力,同时保持较低的功耗。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大漏极电流(Id):5A
  导通电阻(Rds(on)):0.3Ω(典型值)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2V至4V
  最大功耗(Pd):60W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-220

特性

2N7224的主要特性包括低导通电阻、高电流容量和快速开关性能。其低Rds(on)特性可以减少导通状态下的功率损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET具有良好的热稳定性,在高负载条件下仍能保持稳定工作。其TO-220封装提供了良好的散热性能,适合用于高功率密度的设计。2N7224还具有较高的耐压能力,适用于100V以下的电源系统。该器件的栅极驱动电压范围较宽,适用于多种控制电路。

应用

2N7224常用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制、负载开关、电池管理系统以及各种功率控制电路中。由于其高效率和良好的热性能,该器件也适用于需要频繁开关操作的应用,如逆变器和变频器系统。此外,2N7224还可用于LED驱动、充电器和电源管理模块。

替代型号

IRF540, FQP5N60, 2N7225

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2N7224参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)34A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)70 毫欧 @ 21A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)125 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)4W(Ta),150W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-254AA
  • 封装/外壳TO-254-3,TO-254AA(直引线)