2N7224是一种常用的N沟道功率MOSFET晶体管,广泛用于电源管理和开关应用。该器件采用TO-220封装,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于各种高频率和高电流的开关电路中。2N7224的结构设计使其能够承受较大的电流和电压应力,同时保持较低的功耗。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大漏极电流(Id):5A
导通电阻(Rds(on)):0.3Ω(典型值)
栅极阈值电压(Vgs(th)):2V至4V
最大功耗(Pd):60W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-220
2N7224的主要特性包括低导通电阻、高电流容量和快速开关性能。其低Rds(on)特性可以减少导通状态下的功率损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET具有良好的热稳定性,在高负载条件下仍能保持稳定工作。其TO-220封装提供了良好的散热性能,适合用于高功率密度的设计。2N7224还具有较高的耐压能力,适用于100V以下的电源系统。该器件的栅极驱动电压范围较宽,适用于多种控制电路。
2N7224常用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制、负载开关、电池管理系统以及各种功率控制电路中。由于其高效率和良好的热性能,该器件也适用于需要频繁开关操作的应用,如逆变器和变频器系统。此外,2N7224还可用于LED驱动、充电器和电源管理模块。
IRF540, FQP5N60, 2N7225