2N708 时间：2025/8/20 22:58:49 阅读：9

2N708是一款常用的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于开关电源、功率放大器以及电机控制等应用中。该器件具备高耐压和较大电流承载能力的特点，适用于多种功率电子系统。2N708采用TO-3金属封装，这种封装形式具有良好的散热性能，能够有效降低工作时的温度。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大漏极电流(Id)：8A
　　最大功耗(Pd)：75W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻(Rds(on))：约0.4Ω
　　增益带宽：-

特性

2N708的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压最高可达100V，使其适用于中高功率应用。其最大漏极电流为8A，能够在较大负载条件下稳定工作。此外，2N708的导通电阻约为0.4Ω，在同类器件中表现良好，有助于降低功率损耗并提高系统效率。该器件的TO-3金属封装不仅提供了良好的散热性能，还能有效屏蔽电磁干扰，提高系统的稳定性和可靠性。
　　2N708的栅极驱动电压范围为±20V，设计时需注意驱动电路的电压范围，避免超出该限制导致器件损坏。由于其为增强型MOSFET，2N708在栅极电压为零时处于关闭状态，只有在施加足够正电压时才会导通，这种特性使其非常适合用于开关电路。此外，2N708具备较快的开关速度，适合用于高频开关电源和PWM（脉宽调制）控制电路。

应用

2N708常用于多种功率电子系统，如开关电源（SMPS）中作为功率开关管，用于高效能转换和稳压。它也广泛应用于电机控制、逆变器、DC-DC转换器以及音频功率放大器中，作为输出开关或驱动元件。此外，2N708还可用于工业控制设备、自动化系统和电子测试设备中的功率开关应用。
　　在电源管理方面，2N708可以用于电池充电器、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等设备。其高可靠性和良好的热稳定性使其在恶劣环境下也能稳定工作。在音频放大器中，2N708用于功率输出级，能够提供较高的输出功率和较低的失真率。此外，该器件也可用于电子负载、电焊机和电动工具等需要高电流开关能力的场合。