类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极电流（ID）：最大 115mA
　　漏极-源极电压（VDS）：最大 60V
　　栅极-源极电压（VGS）：最大 ±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约 5Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：约 2.5nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

2N7002WT/R MOSFET 具有多个显著的电气和物理特性，适用于各种电子电路设计。
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高电路的整体效率。这对于低电压、低功耗的应用尤为重要，例如电池供电设备和便携式电子产品。
　　其次，该器件具有较高的开关速度，适合用于高频开关应用。其栅极电荷（Qg）较低，使得驱动 MOSFET 所需的能量较小，从而降低了驱动电路的复杂性和成本。
　　此外，2N7002WT/R 的最大漏极-源极电压（VDS）为 60V，允许其在中等电压环境下工作，如工业控制系统、继电器驱动和LED控制电路。同时，其最大栅极-源极电压为 ±20V，提供了良好的栅极保护，避免因过压而损坏器件。
　　该器件采用 SOT-23 小型封装，具有良好的热稳定性和较高的集成度，适用于表面贴装工艺（SMT），便于在紧凑型 PCB 设计中使用。其工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，确保其在极端环境条件下仍能稳定运行，适用于工业和汽车电子应用。
　　最后，该 MOSFET 的高可靠性使其成为众多通用开关应用的理想选择，尤其是在需要小尺寸和高性能平衡的设计中。

2N7002WT/R MOSFET 主要应用于以下几个方面：
　　1. **数字逻辑电路**：作为开关元件，用于控制逻辑信号的通断，适用于微控制器外围电路。
　　2. **电源管理**：用于低功耗电源切换，如电池管理系统中的负载开关或 DC-DC 转换器中的同步整流器。
　　3. **信号切换**：用于音频、视频信号或数据线路的切换控制，如多路复用器或继电器替代方案。
　　4. **小型电机控制**：用于玩具、风扇或小型泵的电机驱动电路，作为低电流开关使用。
　　5. **LED 驱动**：用于 LED 灯具的开关控制，特别是在 PWM 调光应用中，其高开关速度可以实现精确的亮度调节。
　　6. **工业自动化**：作为固态继电器的替代元件，用于控制传感器、执行器或小型负载的开关。
　　7. **汽车电子**：用于车身控制模块、照明系统或车载娱乐系统的电源管理电路中，因其小型封装和宽工作温度范围而受到青睐。

2N7002K, 2N7002E, BSS138, 2N7000, FDV301N