时间：2025/8/15 2:04:34
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2N7002W-1 T/R是一款由ON Semiconductor制造的N沟道增强型MOSFET晶体管，常用于各种电子电路中的开关和放大应用。该器件具有高可靠性和优异的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及信号处理等场景。2N7002W-1 T/R采用SOT-23封装形式，适合表面贴装工艺，便于在现代电子设备中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：110mA
导通电阻（Rds(on)）：5Ω @ Vgs=10V
功率耗散：300mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-23
2N7002W-1 T/R的性能特点使其成为许多电子设计中的理想选择。该器件具有较低的导通电阻，在Vgs为10V时可达到5Ω，这意味着在工作时能够减少功率损耗并提高效率。其最大漏源电压为60V，适合在中等电压条件下运行，同时具备较高的耐压能力，可以适应一定的过压情况。
此外，该MOSFET的栅源电压范围为±20V，使其在不同的驱动条件下仍能保持稳定运行，避免因栅极电压波动而导致的损坏问题。漏极电流的最大值为110mA，适用于低至中功率的开关应用，如LED驱动电路或小型电机控制电路。
其封装形式为SOT-23，这种小型封装不仅节省空间，而且适合表面贴装技术（SMT），提高了电路板的集成度和生产效率。器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，使其能够在极端环境下稳定运行，满足工业级和汽车电子的要求。
2N7002W-1 T/R还具备良好的热稳定性，能够在高温条件下维持性能，减少热失效的风险。这种特性使其适用于需要长时间连续运行的设备，例如电源适配器、充电器和电源管理系统。
2N7002W-1 T/R广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、DC-DC转换器、电池供电设备、LED照明控制、小型电机驱动以及信号开关电路。它在低功耗电子设备中特别受欢迎，例如便携式电子产品、智能家居设备和物联网（IoT）模块。
由于其良好的热稳定性和高可靠性，这款MOSFET也常用于汽车电子系统中，例如车灯控制、车载充电器和车身控制模块。此外，在工业自动化设备中，它被用于驱动继电器、传感器和执行器，作为高效的电子开关使用。
在通信设备中，2N7002W-1 T/R可用于射频（RF）信号切换和数据线路保护，确保信号传输的稳定性和完整性。其高耐压能力也使其成为浪涌保护电路和电源隔离电路的理想选择。
2N7002, BSS138, 2N7000, IRLML2402, FDV301N
