类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：110mA（在Vds为10V时）
　　导通电阻(Rds(on))：约5Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOT-23

2N7002W K72 具有多个显著的特性，使其在各类电子电路中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下能够高效地传输电流，从而减少了功率损耗，提高了整体系统的效率。其次，该器件具有良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，从-55°C到+150°C，使其适用于各种严苛的工作环境。
　　此外，2N7002W K72 的高栅极击穿电压（±20V）提供了更大的设计灵活性，允许使用较高的栅极驱动电压以实现更快的开关速度。这种特性对于需要快速开关的应用（如DC-DC转换器和开关电源）尤为重要。同时，该MOSFET的高速开关特性使其能够有效减少开关损耗，提高系统的整体性能。

2N7002W K72 由于其优异的电气特性和可靠性，被广泛应用于多个领域。在工业控制领域，它常用于继电器驱动、电机控制和传感器接口电路中，作为高效的开关元件。在电源管理方面，该器件可用于DC-DC转换器、电池充电电路以及负载开关控制，帮助实现高效的能量传输和管理。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和智能家居设备中，2N7002W K72 常用于电源开关、LED驱动以及信号路由等应用。其小尺寸封装和低功耗特性使其非常适合这些对空间和能效要求较高的设备。

2N7002, BSS138, 2N7000, FDV301N