时间：2025/8/14 8:08:14
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2N7002TB 是一款常用的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于低功率开关电路和信号控制电路中。这款 MOSFET 采用 TO-236（SOT-23）封装，具有较小的尺寸和较高的可靠性，适用于多种电子设备。2N7002TB 的设计使其能够在相对较低的栅极电压下工作，这使得它非常适合用于数字电路中的开关应用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±30V
最大连续漏极电流（Id）：300mA（在 Vgs = 10V 时）
导通电阻（Rds(on)）：5Ω（最大值，在 Vgs = 10V，Id = 150mA 时）
阈值电压（Vgs(th)）：1V 至 3V
最大功耗（Ptot）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：TO-236（SOT-23）
2N7002TB MOSFET 具有多种特性，使其在电子电路设计中非常受欢迎。首先，它的低阈值电压允许在较低的栅极电压下工作，这使得它适用于低电压控制系统。此外，2N7002TB 的导通电阻相对较低，在导通状态下可以提供较低的压降，减少能量损耗。
其次，该器件的封装尺寸较小，适合用于空间受限的设计。TO-236（SOT-23）封装也方便进行表面贴装，提高了生产效率和可靠性。由于其广泛的应用背景，2N7002TB 已经过市场验证，具有良好的稳定性和一致性。
另外，2N7002TB 能够在较宽的温度范围内工作，从 -55°C 到 +150°C，这使得它适用于工业和汽车等苛刻环境中的应用。其较高的最大漏源电压（60V）也提供了更大的设计灵活性，能够用于多种电压级别的开关控制。
最后，2N7002TB 的最大连续漏极电流为 300mA，虽然在大功率应用中可能不够用，但在小型开关电路、LED 控制、继电器驱动以及信号路径控制等应用中表现良好。
2N7002TB 通常用于低功率 MOSFET 开关应用，例如 LED 驱动电路、小型继电器控制、电源管理电路以及数字逻辑电路中的开关元件。由于其低阈值电压特性，它可以在微控制器或其他数字 IC 的直接控制下工作，适合用于嵌入式系统中的外围控制。
在实际应用中，2N7002TB 常被用作负载开关，例如控制小型直流电机、电磁阀、LED 显示屏等。此外，它也可以用于电平转换电路，帮助将低电压信号转换为高电压信号以驱动后续电路。
在汽车电子系统中，2N7002TB 可以用于控制车灯、风扇、传感器等小型负载。在工业自动化系统中，它可用于 PLC（可编程逻辑控制器）中的输入输出接口电路。
总的来说，2N7002TB 是一款多功能的 MOSFET，适用于多种中低功率的开关控制场合。
2N7002K, 2N7002E, BSS138, 2N7000, IRLML6401
