类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：115mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

2N7002T-HAF MOSFET具有多个显著特性，使其在多种电子电路中表现出色。首先，其60V的漏源电压（Vds）允许在较高电压条件下运行，适用于多种电源管理应用。±20V的栅源电压（Vgs）确保了该器件在高电压信号控制下的稳定工作。
　　其次，该MOSFET的漏极电流为115mA，适合中等电流需求的电路，例如逻辑电路中的开关控制或小型电源转换器中的功率开关。其300mW的功耗设计使其在SOT-23封装中具有良好的热性能，有助于提高整体系统的可靠性。
　　此外，该器件的工作温度范围从-55°C到+150°C，表明其适用于极端环境下的应用，例如工业控制、汽车电子以及户外设备。SOT-23封装形式不仅节省空间，还简化了PCB设计和制造流程，适合高密度电子产品的应用。
　　该MOSFET的制造工艺采用了先进的硅技术，确保了稳定的电气性能和较低的导通电阻（Rds(on)）。这种低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高能效，从而延长电池供电设备的运行时间。

2N7002T-HAF MOSFET因其高性能和可靠性，被广泛应用于多个领域。在电源管理电路中，它常用于DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统。由于其能够处理中等电流和较高电压，因此非常适合用于小型电源供应器和电源调节模块。
　　在工业自动化和控制系统中，该器件常用于控制电机、继电器和传感器的开关操作，提供高效的信号控制和功率管理。其宽工作温度范围也使其适用于恶劣环境中的工业设备。
　　在消费类电子产品中，如便携式充电器、LED照明控制器和智能家电，2N7002T-HAF MOSFET可以作为开关元件，实现节能和高效能的设计目标。此外，汽车电子领域也是其重要应用场景之一，包括车载充电系统、车身控制模块以及车载信息娱乐系统的电源管理部分。

2N7002K, 2N7002LT, BSS138