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2N7002T SOT-523 发布时间 时间:2025/8/16 17:50:32 查看 阅读:15

2N7002T SOT-523 是一种N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),采用SOT-523封装。这种封装形式体积小巧,适合在高密度印刷电路板上使用。2N7002T以其高效能和高可靠性广泛应用于各种电子电路中,尤其是在开关应用和信号处理中表现优异。SOT-523封装的2N7002T具有良好的热性能和电气性能,能够在较高的频率下稳定工作。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  封装:SOT-523
  最大漏极电流(ID):115mA(在VGS=10V)
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):约5Ω(典型值,在VGS=10V)
  最大功耗(PD):300mW
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

2N7002T SOT-523具有多项优良特性,使其在多种应用中表现出色。首先,其高漏源击穿电压(60V)允许在较宽的电压范围内使用,提高了电路设计的灵活性。其次,低导通电阻确保在导通状态下功耗较低,从而提高整体效率并减少发热。此外,该器件的栅极电荷(Qg)较低,使其适合用于高频开关应用,减少开关损耗。
  该MOSFET的SOT-523封装不仅体积小巧,适合空间受限的设计,而且具备良好的散热性能,能够在较高环境温度下稳定运行。2N7002T还具有良好的抗静电能力(ESD保护),提高了器件在实际应用中的可靠性。
  此外,该器件的阈值电压(VGS(th))通常在1V至3V之间,使其能够轻松由常见的数字电路(如微控制器)驱动,适用于逻辑电平控制的应用。

应用

2N7002T SOT-523广泛应用于多个领域,包括但不限于以下方面:
  1. **开关电路**:由于其低导通电阻和高开关速度,2N7002T常用于电源管理、DC-DC转换器和负载开关等应用。
  2. **信号处理**:在模拟和数字信号切换中,如音频开关、信号路由和数据采集系统中,该MOSFET可作为高效的电子开关。
  3. **电池供电设备**:由于其低功耗特性,2N7002T适用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑和穿戴设备中的电源管理模块。
  4. **工业控制**:在工业自动化系统中,2N7002T可用于控制继电器、LED指示灯和小型电机等负载。
  5. **通信设备**:在无线基站、路由器和网络交换设备中,2N7002T可用于射频信号切换和电源管理。

替代型号

2N7002K, 2N7000, BSS138, FDV301N

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