2N7002PSZ 时间：2025/9/14 6:23:34 阅读：9

2N7002PSZ是一款N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛用于开关和放大应用。这款器件采用SOT-23封装，适用于各种低功率电子设备和电路设计。2N7002PSZ具有良好的导通特性和快速的开关性能，适合在电源管理、信号切换以及逻辑电路中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大漏极电流(Id)：115mA（连续）
　　功耗(Pd)：300mW
　　导通电阻(Rds(on))：5Ω（最大）
　　阈值电压(Vgs(th))：1V至3V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

2N7002PSZ具有多项显著特性，使其在各种电子电路中表现出色。首先，其高耐压能力允许在电压较高的环境中可靠运行，漏源电压可达60V，栅源电压为±20V，为设计提供了更大的灵活性。其次，该器件的导通电阻较低，最大为5Ω，这意味着在导通状态下可以减少功率损耗并提高效率。此外，2N7002PSZ的阈值电压范围为1V至3V，使其适用于多种栅极驱动条件，能够在较低的控制电压下正常工作，非常适合用于逻辑电平控制的应用。该器件的封装形式为SOT-23，体积小巧，便于在紧凑型电路板中布局，并且具备良好的热稳定性和可靠性。2N7002PSZ还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，有助于提高系统的响应速度和稳定性。在温度适应性方面，其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于恶劣环境条件下的稳定运行。

应用

2N7002PSZ因其优异的性能和小巧的封装形式，被广泛应用于多个领域。例如，在电源管理电路中，它可用于DC-DC转换器和电压调节器，以提高能效并减小电路尺寸。在逻辑电平控制电路中，该MOSFET可以作为开关元件，用于控制外围设备的开启和关闭。另外，它还常用于信号切换电路，如在音频或数据线路中实现信号的通断控制。在消费类电子产品中，如手机、平板电脑和便携式设备中，2N7002PSZ的低功耗和小尺寸特性使其成为理想选择。此外，该器件还可用于工业控制系统、传感器接口电路以及电池供电设备。