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PESD3V3U1UT,215 发布时间 时间:2025/9/14 16:54:13 查看 阅读:11

PESD3V3U1UT,215 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的单向静电放电(ESD)保护二极管,主要用于保护敏感的电子设备免受静电放电和其他瞬态电压的损害。该器件采用小型SOT23封装,适用于空间受限的高密度电路设计。

参数

工作电压: 3.3V
  电流容量: 1A
  最大钳位电压: 8V @ Ipp=1A
  反向截止电压: 3.3V
  响应时间: <1ns
  封装类型: SOT23

特性

PESD3V3U1UT,215 具备快速响应时间,能够在静电放电事件发生时迅速将电流导通到地,从而保护电路不受损害。
  该器件的低电容特性确保了其在高速信号线上的应用不会对信号完整性造成影响,因此非常适合用于USB、HDMI、LAN等高速接口的ESD保护。
  此外,PESD3V3U1UT,215 采用SOT23封装,体积小巧,便于在PCB上布局,同时具有良好的热稳定性和可靠性。
  该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于各种严苛的工业和汽车电子应用环境。
  器件具有高可靠性,符合IEC 61000-4-2标准的ESD保护等级,可承受高达±30kV的空气放电和±30kV的接触放电。

应用

PESD3V3U1UT,215 主要用于消费电子、工业控制设备、汽车电子系统以及通信设备中的静电放电保护。具体应用包括USB端口保护、HDMI和DisplayPort接口保护、以太网接口保护、音频和视频信号线保护等。
  由于其低电容特性,该器件特别适用于高速数据传输线路,能够有效防止静电放电导致的信号干扰和损坏。
  在汽车电子领域,PESD3V3U1UT,215 可用于车载信息娱乐系统(IVI)、高级驾驶辅助系统(ADAS)以及车载网络接口的保护。
  此外,该器件还可用于保护工业传感器、PLC(可编程逻辑控制器)以及其他需要高可靠性和高性能的电子设备。

替代型号

PESD3V3U1BA,215; PESD3V3U1BT,215; PESD3V3U1UC,215

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PESD3V3U1UT,215参数

  • 产品培训模块ESD Protection DiodesESD Standards and Products
  • 标准包装3,000
  • 类别过电压,电流,温度装置
  • 家庭TVS - 二极管
  • 系列-
  • 电压 - 反向隔离(标准值)3.3V
  • 电压 - 击穿5.8V
  • 功率(瓦特)80W
  • 电极标记单向
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)