时间：2025/9/15 3:28:50
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2N7002PS 是一款常用的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛用于低电压和低电流开关应用中。该器件采用SOT-23（或SOT-23-3）小型封装，适用于需要高频率开关和低导通电阻的应用场景。其工作原理基于栅极电压控制源极与漏极之间的导通状态，从而实现高效能的电子开关功能。该MOSFET具有快速开关速度、低阈值电压以及较高的可靠性，适合用于电池供电设备、逻辑电路驱动、负载开关以及电源管理系统中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：115mA（@25°C）
功耗（PD）：300mW
导通电阻（RDS(on)）：约5Ω（@VGS=10V）
阈值电压（VGS(th)）：0.8V至3.0V
工作温度范围：-55°C至+150°C
2N7002PS MOSFET 具备多项优异特性，适用于多种电子电路设计。
首先，其最大漏源电压为60V，使其适用于中等电压级别的开关应用，同时能够承受一定的电压波动，提高系统的稳定性。
其次，栅源电压范围为±20V，表明该器件在栅极控制信号方面具有较高的耐压能力，适用于多种驱动电路，防止因栅极电压过高而导致器件损坏。
此外，该MOSFET的连续漏极电流为115mA，在常温下可满足多数低功耗电路的需求，适用于逻辑控制、小型继电器驱动、LED控制等应用场景。
其导通电阻（RDS(on)）约为5Ω，在VGS=10V时可提供较低的功率损耗，提升能效并减少发热，确保在小型封装下仍能保持良好性能。
阈值电压（VGS(th)）在0.8V至3.0V之间，使其能够兼容多种逻辑电平驱动，例如5V TTL或3.3V CMOS系统，增强了设计灵活性。
最后，2N7002PS 采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适用于工业控制、消费电子和通信设备。
2N7002PS MOSFET 在多个电子系统中发挥重要作用。
在电源管理方面，该器件可用于电池供电设备中的负载开关，实现对不同电路模块的高效能控制，延长电池寿命。
在数字电路中，常用于驱动继电器、LED、小型电机等负载，作为逻辑电路与高功率设备之间的接口。
此外，该MOSFET也广泛用于模拟开关电路，如多路复用器或信号路由控制，因其低导通电阻和快速开关特性，能够有效减少信号失真。
在嵌入式系统和微控制器外围电路中，2N7002PS 可作为外部设备的驱动元件，例如控制风扇、蜂鸣器或其他外围设备的开关状态。
同时，该器件也适用于低电压DC-DC转换器、电压调节电路以及各种自动化控制系统中，作为基本的电子开关元件，提供高效、可靠的控制功能。
2N7000, 2N7002K, BSS138, 2N3904（BJT，需注意驱动方式不同）
