时间：2025/9/15 1:40:39
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2N7002NXAKR 是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于低电压和低电流的开关电路中。该器件采用SOT-23封装，具有良好的热稳定性和可靠性，适合用于电源管理、负载开关和逻辑电路等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：300mA
功耗（Pd）：300mW
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-23
2N7002NXAKR MOSFET具有多种显著的电气和机械特性，使其在多种电子电路中表现出色。首先，其60V的漏源电压（Vds）和±20V的栅源电压（Vgs）确保了该器件可以在相对较高的电压环境下稳定工作，适用于多种电源管理应用。其次，该器件的最大连续漏极电流为300mA，在低电流开关应用中提供了足够的电流承载能力，同时其300mW的功耗设计确保了在小型SOT-23封装下仍能保持良好的散热性能。此外，该MOSFET的导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高整体能效。其SOT-23封装形式体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，同时具备良好的机械稳定性和焊接性能，适用于自动化生产和批量应用。在温度特性方面，该器件支持-55°C至150°C的工作温度范围，适用于工业级和汽车电子等对温度稳定性要求较高的环境。综合这些特性，2N7002NXAKR是一款性能稳定、适用范围广泛的N沟道MOSFET，广泛用于开关控制、负载驱动和数字逻辑电路中。
2N7002NXAKR 常见于需要低电压、低电流开关控制的电子电路中。其主要应用包括电源管理系统中的负载开关、LED驱动电路、小型电机控制、继电器驱动、逻辑电平转换以及各种便携式电子设备中的功率控制电路。此外，该器件也广泛应用于工业控制设备、消费类电子产品和汽车电子模块中，用于实现高效的开关操作和电源管理。由于其良好的温度适应性和可靠性，该MOSFET也常用于对环境条件要求较高的应用场景，如汽车电子和工业自动化系统。
2N7002K, 2N7002E, BSS138
