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2N7002LT 发布时间 时间:2025/7/23 0:31:37 查看 阅读:9

2N7002LT 是一款常见的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电路、逻辑电平转换以及低功率电源管理等场合。该器件采用SOT-23封装,适合表面贴装工艺,具有体积小、响应速度快和驱动能力强的特点。2N7002LT的结构使其能够高效地在低压控制电路中进行信号切换或功率传输。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):300mA
  导通电阻(Rds(on)):5Ω @ Vgs=10V
  阈值电压(Vgs(th)):1V ~ 3V
  最大功耗(Pd):300mW
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装形式:SOT-23

特性

2N7002LT具有多个显著的电气特性,适用于多种电子电路设计场景。首先,其较高的漏源击穿电压(60V)使其能够在中等电压应用中稳定工作,同时具备良好的过压耐受能力。
  其次,2N7002LT具有较低的输入电容(Ciss)和快速的开关速度,适合用于高频开关电路。栅极驱动电压范围较宽(通常在2.5V至10V之间),可以兼容多种逻辑电平(如3.3V和5V系统),从而实现灵活的接口设计。  其SOT-23封装形式体积小巧,适合用于空间受限的设计,同时具备良好的焊接性和机械稳定性,便于自动化生产和长期使用。

应用

2N7002LT主要应用于以下几类电子电路和系统中:
  1. **逻辑电平转换**:由于其栅极驱动电压范围宽,2N7002LT常用于不同电压电平之间的信号转换,例如将3.3V微控制器信号转换为5V逻辑电平以驱动外围设备。
  2. **小功率开关电路**:在需要控制低功率负载(如LED、继电器或小型电机)的场合,2N7002LT可以用作高效的电子开关,具有响应快、寿命长的优点。
  3. **缓冲器和驱动器**:在数字电路中,2N7002LT可用于增强信号驱动能力,提高电路的负载能力。
  4. **电池供电设备**:由于其低导通电阻和低功耗特性,2N7002LT适用于便携式设备中的电源管理电路。
  5. **工业控制与自动化**:在PLC(可编程逻辑控制器)、传感器接口以及继电器替代电路中,2N7002LT提供可靠的开关功能。

替代型号

2N7002K, 2N7002E, BSS138, 2N3904

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