时间：2025/4/29 17:41:40
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2N7002KTB-R1 是一种 N 河道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于模拟和数字电路中。该器件以小型化封装和高可靠性著称，适用于开关和放大应用。其低导通电阻和快速开关特性使其成为功率管理、信号切换以及电池供电设备的理想选择。
2N7002 系列中的 KTB-R1 型号具有改进的电气参数和更高的环境适应能力，能够满足工业和消费类电子产品的严格要求。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏电流：200mA
最大功耗：450mW
导通电阻：1.8Ω
阈值电压：1V~3V
工作温度范围：-55℃~150℃
2N7002KTB-R1 具有以下显著特性：
1. 高输入阻抗，减少驱动电路的负载。
2. 低导通电阻（Rds(on)），降低功率损耗并提高效率。
3. 快速开关速度，适合高频应用。
4. 小型 SOT-23 封装，节省印刷电路板空间。
5. 高可靠性和长寿命设计，适合各种严苛的工作条件。
6. 良好的热稳定性和耐受静电放电（ESD）的能力。
该型号通常应用于以下领域：
1. 开关电源和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 便携式电子设备中的负载开关。
3. 电池保护电路和过流保护电路。
4. 数字逻辑电路中的信号切换。
5. 工业自动化控制中的小型电机驱动。
6. 各种消费类电子产品中的电源管理和信号处理电路。
2N7002KT
BSS138
FDC6551NL
AO3400
