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2N7002KTB-R1 发布时间 时间:2025/4/29 17:41:40 查看 阅读:11

2N7002KTB-R1 是一种 N 河道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于模拟和数字电路中。该器件以小型化封装和高可靠性著称,适用于开关和放大应用。其低导通电阻和快速开关特性使其成为功率管理、信号切换以及电池供电设备的理想选择。
  2N7002 系列中的 KTB-R1 型号具有改进的电气参数和更高的环境适应能力,能够满足工业和消费类电子产品的严格要求。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  最大漏电流:200mA
  最大功耗:450mW
  导通电阻:1.8Ω
  阈值电压:1V~3V
  工作温度范围:-55℃~150℃

特性

2N7002KTB-R1 具有以下显著特性:
  1. 高输入阻抗,减少驱动电路的负载。
  2. 低导通电阻(Rds(on)),降低功率损耗并提高效率。
  3. 快速开关速度,适合高频应用。
  4. 小型 SOT-23 封装,节省印刷电路板空间。
  5. 高可靠性和长寿命设计,适合各种严苛的工作条件。
  6. 良好的热稳定性和耐受静电放电(ESD)的能力。

应用

该型号通常应用于以下领域:
  1. 开关电源和 DC-DC 转换器中的同步整流。
  2. 便携式电子设备中的负载开关。
  3. 电池保护电路和过流保护电路。
  4. 数字逻辑电路中的信号切换。
  5. 工业自动化控制中的小型电机驱动。
  6. 各种消费类电子产品中的电源管理和信号处理电路。

替代型号

2N7002KT
  BSS138
  FDC6551NL
  AO3400

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