CBR04C120F3GAC是一款高性能的碳化硅(SiC)肖特基二极管,主要用于高频、高效能开关电源和逆变器等应用。该器件采用了先进的碳化硅材料技术,具有低正向压降和快速恢复时间的特点,能够显著提升系统的效率和可靠性。
CBR04C120F3GAC的设计适用于高频率工作环境,并且能够承受较高的反向电压,同时保持较低的能量损耗。
型号:CBR04C120F3GAC
类型:肖特基二极管
材料:碳化硅(SiC)
额定电压:1200V
额定电流:4A
正向压降:≤1.4V(典型值@25°C)
反向恢复时间:≤25ns
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装形式:TO-247-3
CBR04C120F3GAC的主要特性包括:
1. 使用碳化硅材料制造,具备优异的高温稳定性和耐高压性能。
2. 极低的正向压降,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
3. 快速的反向恢复时间,适合高频开关电路的应用。
4. 高达1200V的阻断电压能力,确保在高压环境下可靠运行。
5. 能够在宽温度范围内正常工作,适应各种恶劣环境条件。
6. TO-247-3封装提供良好的散热性能,便于集成到功率模块中。
CBR04C120F3GAC广泛应用于以下领域:
1. 高频开关电源(SMPS),用于实现高效能量转换。
2. 电动汽车(EV)中的DC-DC转换器和车载充电机。
3. 光伏逆变器,用于太阳能发电系统的电力调节。
4. 工业电机驱动,特别是在需要快速响应和高效率的场合。
5. 不间断电源(UPS)和其他要求高可靠性的电力电子设备。
6. 任何需要处理高电压、高频率以及低损耗的功率转换场景。
CBR06C120F3GAC, CBR08C120F3GAC