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CBR04C120F3GAC 发布时间 时间:2025/6/30 21:26:07 查看 阅读:3

CBR04C120F3GAC是一款高性能的碳化硅(SiC)肖特基二极管,主要用于高频、高效能开关电源和逆变器等应用。该器件采用了先进的碳化硅材料技术,具有低正向压降和快速恢复时间的特点,能够显著提升系统的效率和可靠性。
  CBR04C120F3GAC的设计适用于高频率工作环境,并且能够承受较高的反向电压,同时保持较低的能量损耗。

参数

型号:CBR04C120F3GAC
  类型:肖特基二极管
  材料:碳化硅(SiC)
  额定电压:1200V
  额定电流:4A
  正向压降:≤1.4V(典型值@25°C)
  反向恢复时间:≤25ns
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装形式:TO-247-3

特性

CBR04C120F3GAC的主要特性包括:
  1. 使用碳化硅材料制造,具备优异的高温稳定性和耐高压性能。
  2. 极低的正向压降,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  3. 快速的反向恢复时间,适合高频开关电路的应用。
  4. 高达1200V的阻断电压能力,确保在高压环境下可靠运行。
  5. 能够在宽温度范围内正常工作,适应各种恶劣环境条件。
  6. TO-247-3封装提供良好的散热性能,便于集成到功率模块中。

应用

CBR04C120F3GAC广泛应用于以下领域:
  1. 高频开关电源(SMPS),用于实现高效能量转换。
  2. 电动汽车(EV)中的DC-DC转换器和车载充电机。
  3. 光伏逆变器,用于太阳能发电系统的电力调节。
  4. 工业电机驱动,特别是在需要快速响应和高效率的场合。
  5. 不间断电源(UPS)和其他要求高可靠性的电力电子设备。
  6. 任何需要处理高电压、高频率以及低损耗的功率转换场景。

替代型号

CBR06C120F3GAC, CBR08C120F3GAC

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CBR04C120F3GAC参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.72789卷带(TR)
  • 系列CBR-SMD RF C0G
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容12 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-