时间：2025/5/8 0:05:12
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2N7002KS-TP 是一种 N 沟道增强型小信号 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它属于 2N7002 系列，广泛应用于各种低功率开关和放大电路中。2N7002KS-TP 特别设计为表面贴装器件 (SOT-23)，使其非常适合空间受限的应用场景。
该器件具有较低的导通电阻和快速开关能力，同时支持较宽的工作温度范围（-55°C 至 +150°C），使其在工业、消费电子和通信领域中都有广泛应用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：200mA
最大功耗：340mW
导通电阻：1.8Ω
栅极电荷：3nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
2N7002KS-TP 的主要特点包括：
1. 高开关速度：由于其低栅极电荷和小封装尺寸，该器件能够实现快速开关操作。
2. 低导通电阻：典型值为 1.8Ω，有助于减少导通损耗并提高效率。
3. 小型化设计：采用 SOT-23 表面贴装封装，适合紧凑型 PCB 设计。
4. 宽温范围支持：能够在极端环境条件下稳定运行，适用于恶劣工作环境。
5. 可靠性高：经过严格的质量控制流程，确保长期使用中的稳定性。
2N7002KS-TP 主要用于以下应用场景：
1. 开关电源和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 各种便携式设备中的负载开关。
3. 数据通信接口保护电路。
4. LED 驱动和小型电机控制。
5. 电池管理系统的充放电控制。
此外，该器件还被广泛应用于音频设备、家用电器以及汽车电子系统等需要低功耗和快速响应的场合。
2N7002K, BSS138, PMV20UN, FDN327P
