2N7002KQBZ 时间：2025/9/14 5:51:52 阅读：11

2N7002KQBZ是一款常用的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电路和逻辑电平转换等场景。该器件采用SOT-23-3封装，具有较高的可靠性、低导通电阻和快速开关特性。它适用于各种低功率应用，包括信号切换、驱动负载和电源管理。该MOSFET由多个知名半导体制造商生产，如ON Semiconductor、Diodes Incorporated等，其设计符合工业标准。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：115mA
　　导通电阻（Rds(on)）：5Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：1V ~ 3V
　　功率耗散（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

特性

2N7002KQBZ具备多项显著的电气和物理特性，确保其在多种应用中稳定运行。首先，其最大漏源电压为60V，使其能够适应中高压环境，同时其最大连续漏极电流为115mA，适用于低至中功率的负载控制。此外，该器件的导通电阻在Vgs=10V时仅为5Ω，意味着在导通状态下功耗较低，从而减少热量生成，提高效率。
　　栅极的±20V最大栅源电压提供了较强的抗干扰能力，适用于各种驱动电路。此外，其阈值电压范围为1V至3V，使其能够兼容多种逻辑电平（如3.3V和5V TTL/CMOS电路），从而实现灵活的控制。
　　封装方面，2N7002KQBZ采用SOT-23-3封装，体积小巧，便于在PCB上布局。同时，其最大功耗为300mW，适合用于低功耗应用。工作温度范围从-55°C到+150°C，表明其适用于各种严苛环境条件，包括工业控制和汽车电子系统。
　　此外，2N7002KQBZ具有快速开关能力，适合用于高频应用，例如PWM控制、LED驱动和继电器替代方案。其高可靠性也使其成为许多消费电子和工业设备中的常用器件。

应用

2N7002KQBZ常用于各类低功率开关和逻辑电平转换应用。例如，在数字电路中，该MOSFET可以作为电平转换器，将微控制器的3.3V或5V信号转换为更高电压的控制信号，以驱动外部设备。此外，它还可用于LED照明控制、小型电机驱动、继电器替代和电源管理模块。
　　在工业控制领域，2N7002KQBZ可用于传感器信号切换和小型执行器的控制。在消费电子产品中，它常用于电池供电设备中的负载开关，以降低功耗并延长电池寿命。另外，该器件还可用于保护电路中，例如防止反向电流流动或过载保护。
　　由于其紧凑的SOT-23-3封装和高可靠性，2N7002KQBZ还广泛应用于通信设备、便携式电子设备和汽车电子系统中。