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2N7002KN3 发布时间 时间:2025/7/18 8:43:29 查看 阅读:8

2N7002KN3 是一款增强型 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它广泛应用于开关电路和信号放大领域,因其卓越的性能而成为许多电子设计中的首选元器件。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的温度稳定性等特性,适用于多种电压和电流需求的场景。
  2N7002KN3 的封装形式通常为 SOT-23 小型表面贴装封装,适合高密度电路板设计,同时具备良好的散热性能。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  最大漏极电流:0.2A
  功耗:340mW
  导通电阻:1.8Ω
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

2N7002KN3 是一种小信号 MOSFET,具有以下特点:
  1. 高输入阻抗,使得其在弱信号处理时表现出色。
  2. 快速开关能力,适用于高频应用。
  3. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗。
  4. 在较宽的温度范围内保持稳定的电气性能。
  5. 具备静电放电保护功能,提高了器件的可靠性。
  6. 小型化封装,方便使用于空间受限的设计中。

应用

2N7002KN3 由于其优异的性能被广泛用于各种电子产品中,具体包括:
  1. 开关电源中的初级或次级开关元件。
  2. 便携式设备中的负载开关。
  3. 数字逻辑电路中的驱动器。
  4. 各种保护电路中的控制元件,如过流保护、短路保护等。
  5. 音频设备中的信号切换元件。
  6. 数据通信设备中的高速开关组件。

替代型号

BSS138
  2N7000
  AO3400

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