时间：2025/7/18 8:43:29
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2N7002KN3 是一款增强型 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它广泛应用于开关电路和信号放大领域，因其卓越的性能而成为许多电子设计中的首选元器件。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的温度稳定性等特性，适用于多种电压和电流需求的场景。
2N7002KN3 的封装形式通常为 SOT-23 小型表面贴装封装，适合高密度电路板设计，同时具备良好的散热性能。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：0.2A
功耗：340mW
导通电阻：1.8Ω
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
2N7002KN3 是一种小信号 MOSFET，具有以下特点：
1. 高输入阻抗，使得其在弱信号处理时表现出色。
2. 快速开关能力，适用于高频应用。
3. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗。
4. 在较宽的温度范围内保持稳定的电气性能。
5. 具备静电放电保护功能，提高了器件的可靠性。
6. 小型化封装，方便使用于空间受限的设计中。
2N7002KN3 由于其优异的性能被广泛用于各种电子产品中，具体包括：
1. 开关电源中的初级或次级开关元件。
2. 便携式设备中的负载开关。
3. 数字逻辑电路中的驱动器。
4. 各种保护电路中的控制元件，如过流保护、短路保护等。
5. 音频设备中的信号切换元件。
6. 数据通信设备中的高速开关组件。
BSS138
2N7000
AO3400
