APT100S20BG是一款由Microsemi(现为Microchip Technology)生产的高压、高频、双极型晶体管(BJT)。这款晶体管专为高功率射频(RF)应用设计,适用于广播、通信和工业设备中的功率放大器部分。APT100S20BG具有高增益、低失真和出色的热稳定性,能够在高频段提供稳定的性能。其封装形式为气密性陶瓷封装,适用于需要高可靠性和长期稳定性的应用。
类型:NPN双极型晶体管(BJT)
最大集电极电流:100 A
最大集电极-发射极电压:20 V
最大集电极-基极电压:35 V
最大功耗:150 W
工作频率:最高可达500 MHz
增益(hFE):典型值为30-60
封装类型:陶瓷金属封装(Ceramic Metal)
热阻(Rth):典型值为1.0°C/W
工作温度范围:-55°C至+150°C
APT100S20BG具备出色的射频功率放大性能,适用于高频和高功率应用场景。其NPN结构使其在高频率下仍能保持良好的增益表现,适用于AM、FM、TV广播发射器、工业加热设备和通信系统中的功率放大器设计。该晶体管的陶瓷金属封装提供了优异的散热性能和机械稳定性,确保在恶劣环境下仍能可靠运行。此外,APT100S20BG具备较低的互调失真(IMD),有助于提高信号的清晰度和传输质量。其高耐压能力和热稳定性使其在高温环境下仍能保持稳定工作,适用于需要长期运行的高可靠性系统。
APT100S20BG的另一个关键特性是其良好的线性度,这使得它在多载波通信系统中表现出色,能够有效减少信号失真和干扰。此外,该器件的高功率处理能力使其成为高功率射频放大器的理想选择。其封装设计支持有效的散热管理,适用于强制风冷或水冷系统。APT100S20BG还具有良好的抗热疲劳能力,确保在频繁开关和高功率波动条件下仍能保持稳定性能。
APT100S20BG广泛应用于射频功率放大器、广播发射机(如AM/FM广播)、通信基站、工业加热设备、医疗射频设备以及测试与测量仪器等高功率射频系统。它特别适用于需要在高频段提供高功率输出的场合,例如在无线通信基础设施中用于信号放大,或在广播系统中用于主功率放大器的设计。
BLF177、MRFE6VS60250H、2SC2879