时间：2025/5/7 17:55:48
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2N7002KM-TP是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种电子电路中。该器件由Vishay公司生产，具有小型化、高性能的特点，适合用于高频开关和信号放大等场景。2N7002KM-TP采用TO-92封装形式，便于安装和散热。
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
漏极电流(ID)：200mA
输入电容(Ciss)：130pF
导通电阻(Rds(on))：1.8Ω
功耗(PD)：400mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
2N7002KM-TP是一款低噪声、高增益的MOSFET，具备以下特点：
1. 小信号性能优越，非常适合于模拟和数字电路中的开关应用。
2. 高速开关能力，能够满足高频电路的需求。
3. 栅极电荷较低，有助于降低驱动损耗。
4. 具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内正常工作。
5. TO-92封装使其体积小巧，方便在空间受限的设计中使用。
2N7002KM-TP常用于以下领域：
1. 开关电源和DC-DC转换器中的开关元件。
2. 电池保护电路和负载开关。
3. 信号调理电路中的放大器或缓冲器。
4. 音频设备中的小信号放大。
5. 工业控制和消费类电子产品中的逻辑电平驱动开关。
6. 各种便携式设备中的功率管理模块。
BSS138
2N7000
2N7002
PMV40EN
