类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：115mA（@25℃）
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：5Ω（@VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：4.5nC
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOT-23

2N7002KLW的主要特性包括高开关速度、低导通电阻以及宽工作温度范围，适用于多种低功率开关应用。
　　其高开关速度使得该器件能够在高频条件下稳定运行，适用于DC-DC转换器和脉宽调制（PWM）控制电路。
　　此外，2N7002KLW具有较强的温度适应性，在-55℃至+150℃之间均可正常工作，适合在工业和汽车电子等恶劣环境下使用。
　　该MOSFET的SOT-23封装设计有助于节省PCB空间，并支持表面贴装工艺，便于自动化生产。
　　尽管其导通电阻相对较高（约5Ω），但在低电流条件下仍能保持良好的能效表现。

2N7002KLW主要用于低功率MOSFET开关电路，如微控制器的I/O扩展、LED驱动、继电器替代以及电源管理模块。
　　在数字电路中，该器件常用于电平转换或信号隔离，其高输入阻抗特性有助于减少对前级电路的影响。
　　在电源管理方面，2N7002KLW可用于电池供电设备中的负载开关，以实现节能控制。
　　此外，它还适用于低功率DC-DC转换器、逻辑门驱动器以及小型电机控制电路。
　　由于其SOT-23封装体积小、易于焊接，2N7002KLW也常用于原型设计和小批量电子产品中。

2N7002K, 2N7002E, BSS138, 2N3904（BJT，注意电路设计差异）