时间：2025/8/14 22:09:47
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2N7002KDWHT/R 是一种常用的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于低电压和中等功率应用中。该器件由 Vishay Semiconductors 制造，采用 SOT-363 封装，适用于开关电路、负载开关、电源管理和逻辑电路中的信号切换。2N7002KDWHT/R 是一种双 MOSFET 器件，内部包含两个独立的 N 沟道 MOSFET，适用于空间受限的设计。其低导通电阻、高速开关特性和小尺寸封装使其成为便携式电子设备、DC-DC 转换器和电机控制电路的理想选择。
类型：MOSFET（N 沟道）
封装类型：SOT-363
配置：双 N 沟道
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：110mA（每个通道）
导通电阻（RDS(on)）：5Ω（最大值）
阈值电压（VGS(th)）：1V 至 3V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
功耗：300mW
2N7002KDWHT/R 是一款双 N 沟道增强型 MOSFET，具有高速开关能力和低导通电阻的特性，使其在低功耗应用中表现优异。其 SOT-363 封装尺寸小巧，适合高密度 PCB 设计。该器件支持双通道独立操作，每个通道均可独立控制，适用于需要多个 MOSFET 的电路设计。
该 MOSFET 具有良好的热稳定性和较高的耐用性，可在恶劣的环境条件下正常工作。其最大漏源电压为 60V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中低功率应用。此外，其较低的栅极电荷（Qg）也提高了开关速度，降低了开关损耗，适用于高频开关电源和电机驱动电路。
由于其封装体积小且功耗较低，2N7002KDWHT/R 常用于电池供电设备、便携式电子产品、逻辑电平转换、继电器驱动和LED控制电路。该器件的双通道结构也简化了 PCB 布局，减少了外部元件数量，提高了系统的可靠性和效率。
2N7002KDWHT/R 广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要低功耗、小尺寸封装和双通道 MOSFET 控制的场合。常见的应用包括：
1. 便携式电子设备中的电源管理电路，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备；
2. DC-DC 转换器和稳压电路中的开关元件；
3. 逻辑电路中的信号转换和电平移位；
4. 电机驱动和继电器控制电路；
5. LED 驱动电路中的开关控制；
6. 电池保护电路和负载开关应用；
7. 工业控制系统中的小型执行器驱动电路。
2N7002KW, BSS84, 2N3904, FDN340P, 2N7002, BSS138
