类型：N 沟道 MOSFET
　　封装：SOT-23
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：110mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：约 5Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：约 3nC
　　输入电容（Ciss）：约 45pF

2N7002KCE 的核心特性之一是其优良的开关性能，具有快速导通和关断能力，适用于高频开关应用。该器件的低导通电阻有助于降低导通损耗，提高能效。
　　其 SOT-23 小型封装形式使其非常适合在空间受限的 PCB 设计中使用，同时具备良好的散热性能。
　　此外，该 MOSFET 具有宽泛的温度适应能力，可在极端环境下稳定工作，增强了其在工业和汽车应用中的可靠性。
　　由于其栅极驱动电压范围宽（通常可在 2V 至 20V 之间工作），该器件能够与多种逻辑电平兼容，便于与数字电路接口集成。
　　在静电放电（ESD）保护方面，2N7002KCE 内部设计具有一定的抗静电能力，但仍建议在使用过程中采取适当的 ESD 防护措施。

2N7002KCE 常用于多种电子系统中，尤其是在需要低功率 MOSFET 控制的场合。典型应用包括电源开关控制、DC-DC 转换器中的同步整流、LED 驱动电路、继电器驱动、电机控制以及逻辑电平转换等。
　　在电源管理领域，该器件可用于低功耗负载开关，实现对系统不同模块的供电控制，从而提高整体能效。
　　在数字电路中，2N7002KCE 可作为缓冲器或驱动器，用于增强信号驱动能力，尤其适用于与微控制器或逻辑门电路配合使用的场合。
　　在工业控制和自动化设备中，该 MOSFET 可用于小型继电器替代，减少机械磨损并提高系统可靠性。
　　另外，由于其封装小巧，2N7002KCE 也广泛应用于便携式电子产品和消费类电子设备中。

2N7002KW, 2N7002LT, 2N7002CL, BSS138