类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100mA
　　导通电阻（Rds(on)）：5Ω @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23 / SOT-323
　　功率耗散（Ptot）：300mW

2N7002KB-RTK/HP MOSFET 的主要特性之一是其较低的导通电阻，这使得它在导通状态下具有较小的电压降和功率损耗，从而提高系统的效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在较高温度下保持稳定工作，适用于各种工业环境。其高开关速度特性也使其非常适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器和PWM控制电路。
　　另一个显著优点是其较高的栅极电压容限（±20V），这使得该器件在设计中具有更高的容错能力，减少了因过压导致损坏的风险。同时，该MOSFET具有较强的抗静电能力（ESD保护），增强了其在实际应用中的可靠性。
　　该器件的封装形式为小型SOT-23或SOT-323，体积小巧，适合用于空间受限的设计中，如手机、便携式电子产品、传感器模块等。其低功耗特性和高集成度也使其成为许多低功耗电路的理想选择。

2N7002KB-RTK/HP MOSFET 广泛应用于各种电子系统中，包括电源管理电路、DC-DC转换器、负载开关、LED驱动器、逻辑电路和信号控制电路等。在便携式设备中，它可用于电池供电管理，实现高效的能量传输和节能控制。此外，该器件也常用于工业控制系统、汽车电子、通信模块以及传感器电路中，作为开关或放大元件使用。其高可靠性与低功耗特性也使其适合用于物联网（IoT）设备和嵌入式系统中。

2N7002, BSS138, 2N7000, FDV301N, NDS355AN