2N7002KA-RTK/H 时间：2025/5/10 10:07:21 阅读：14

2N7002KA-RTK/H 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于开关和放大电路中。其设计特点在于低漏源导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，同时保持了良好的开关速度和稳定性。该型号适用于多种消费电子、工业控制和通信设备中的功率管理应用。

参数

最大漏极电流：4.3A
　　最大栅源电压：±20V
　　漏源击穿电压：60V
　　导通电阻：1.8Ω
　　总功耗：450mW
　　工作温度范围：-55°C to +150°C

特性

2N7002KA-RTK/H 具有以下主要特性：
　　1. 低导通电阻（Rds(on)），使其在功率转换和信号切换应用中表现出更高的效率。
　　2. 增强型 MOSFET 设计，需要正向栅源电压才能开启，提供了更精确的控制。
　　3. 较高的漏源击穿电压（60V），使其适合于中等电压应用场景。
　　4. 快速开关速度，减少了开关损耗，适合高频应用。
　　5. 工作温度范围宽广，适应各种极端环境条件。
　　6. 小尺寸封装，易于集成到紧凑型设计中。

应用

该器件的应用领域包括：
　　1. 开关电源和 DC-DC 转换器中的功率开关。
　　2. 电池保护电路中的负载开关。
　　3. 驱动电机的小信号控制。
　　4. 各类消费电子产品的过流保护和短路保护。
　　5. 工业自动化设备中的信号隔离与传输。
　　6. 通信系统中的高速信号切换。
　　7. 照明系统中的 LED 驱动和调光控制。