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NTHD3100CT3G 发布时间 时间：2023/12/6 17:29:49 查看 阅读：76

产品种类：MOSFET小信号

目录

概述

制造商：ONSemiconductor
产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
配置：DualDualDrain
晶体管极性：NandP-Channel
电阻汲极/源极RDS（导通）：0.077Ohms/0.085Ohms
正向跨导gFS（最大值/最小值）：6S,8S
汲极/源极击穿电压：20V,-20V
闸/源击穿电压：+/-12V,+/-8V
漏极连续电流：3.9A,-4.4A
功率耗散：1.1W
最大工作温度：+150℃
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：ChipFET-8
封装：Reel
最小工作温度：-55℃

StandardPackQty：10000

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IC词条百科

NTHD3100CT3G参数

  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.9A，3.2A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C80 毫欧 @ 2.9A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）1.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs2.3nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds165pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SMD，扁平引线
  • 供应商设备封装ChipFET?
  • 包装带卷 (TR)

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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