时间：2025/7/23 20:33:03
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2N7002K215 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款晶体管常用于低电压和中等功率的开关应用，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。2N7002K215 通常采用 SOT-23 封装，适合在空间受限的应用中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极电流（ID）：115 mA
漏源电压（VDS）：60 V
栅源电压（VGS）：±20 V
导通电阻（RDS(on)）：5Ω @ VGS = 10V
功耗（PD）：300 mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
2N7002K215 是一款小型、高效的 MOSFET，适用于多种低功率开关应用。该器件具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在恶劣的环境条件下工作。
其主要特点之一是较低的导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体效率。此外，2N7002K215 的开关速度较快，适合需要频繁开关的应用场景。
由于其 SOT-23 小型封装，该晶体管非常适合在空间受限的电路设计中使用，例如便携式电子设备、消费类电子产品和工业控制设备。此外，2N7002K215 的栅极驱动电压范围较宽，可以在多种电压条件下稳定工作。
在热性能方面，2N7002K215 的设计确保了良好的散热能力，使其能够在较高的环境温度下运行而不会影响性能。这使得它在需要长时间运行的高可靠性系统中表现出色。
2N7002K215 主要用于低功率开关电路、负载开关、LED 驱动器、逻辑电平转换、小型电源管理电路、便携式设备中的电池保护电路等。此外，它也常用于模拟开关和放大器电路中的控制元件。
2N7002, BSS138, 2N7000, FDV301N
