时间：2025/6/18 9:06:35
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2N7002K是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于小型信号MOSFET，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。该器件具有低漏源导通电阻（Rds(on)）和快速开关速度的特点，适合用于低压电源管理、负载开关和电平转换等场景。其封装形式为SOT-23，便于表面贴装，体积小且散热性能良好。
2N7002K-R1-000Z9可能是该型号的一个特定版本或厂商编码，具体细节需要参考原厂提供的详细技术文档。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：200mA
脉冲漏极电流(Ip)：1A
漏源导通电阻(Rds(on))：1.8Ω（典型值，在Vgs=10V时）
输入电容(Ciss)：45pF
总功耗(Ptot)：410mW
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. N沟道增强型MOSFET结构，具备优异的开关性能。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），减少功率损耗。
3. 高速开关能力，适用于高频电路。
4. 小型SOT-23封装，适合紧凑型设计。
5. 较宽的工作温度范围，适应各种环境条件。
6. 静态电流极低，有助于延长电池寿命。
7. 可靠性高，适合大规模生产应用。
1. 手机及便携式设备中的负载开关。
2. 电池供电设备中的电源管理。
3. 数据通信接口保护。
4. 汽车电子中的信号控制。
5. 工业自动化系统中的小型信号切换。
6. LED驱动电路中的开关元件。
7. 各类低功耗设备中的电平转换电路。
BSS138
AO3400
FDS6670
IRLML6401
