时间：2025/7/23 20:31:40
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2N7002K-HF 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和放大应用。该器件采用 SOT-23 封装，适用于各种低功率应用，例如电源管理、负载开关和信号处理。由于其高频特性，2N7002K-HF 也广泛应用于通信设备和消费类电子产品。
类型：N 沟道 MOSFET
封装：SOT-23
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：115mA（连续）
导通电阻（RDS(on)）：5Ω（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
功耗：300mW
阈值电压（VGS(th)）：1V 至 3V
漏源击穿电压（BVDSS）：60V
2N7002K-HF 的特性包括低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。其 SOT-23 小型封装设计非常适合空间受限的应用，同时具备良好的散热性能。该器件的高频特性使其在射频（RF）和高速开关电路中表现优异。
此外，2N7002K-HF 的最大漏源电压为 60V，能够在较宽的电压范围内稳定工作。其阈值电压范围为 1V 至 3V，允许较低的控制电压来实现导通，从而节省能耗。该器件的额定漏极电流为 115mA，能够满足大多数低功率电路的需求。
在实际应用中，2N7002K-HF 的高可靠性使其成为许多工业控制和消费电子设备的首选。它能够在恶劣的环境条件下工作，例如高温和低温环境下，依然保持稳定的性能。
2N7002K-HF 主要应用于低功率开关电路、电源管理系统、负载开关、信号放大器、射频（RF）模块以及消费类电子产品。它常用于需要高效能和小尺寸设计的电路中，例如便携式设备、传感器控制、LED 驱动电路以及小型电机控制。
由于其高频特性，该器件也适用于无线通信模块和数据传输设备。此外，在工业自动化系统中，2N7002K-HF 被用于控制继电器、指示灯和小型执行器的开关操作。在电池供电设备中，它可以作为低功耗开关，以延长设备的续航时间。
2N7002, 2N7002LT, 2N7002DW, FDN302P, FDV301N
