时间：2025/6/27 7:21:13
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V0R3A0402HQC500NBT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率和出色的热性能。
其封装形式为 NBT 封装，适合高密度贴片安装，并能在高频工作条件下保持优异的性能表现。
型号：V0R3A0402HQC500NBT
类型：N-Channel MOSFET
漏源极电压(Vdss)：40V
连续漏极电流(Id)：28A
导通电阻(Rds(on))：3mΩ
栅极电荷(Qg)：69nC
功耗(PD)：160W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装：NBT
V0R3A0402HQC500NBT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（3mΩ），可显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流处理能力（28A），适用于大功率应用环境。
3. 支持宽范围的工作温度（-55℃ 至 +175℃），确保在极端环境下也能稳定运行。
4. 先进的封装技术提升了散热性能和电气连接可靠性。
5. 快速开关特性，适用于高频开关电源设计。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制元件。
4. 工业设备中需要高效率、高可靠性的功率管理模块。
5. 汽车电子系统的负载切换和电源管理。
6. 各类家用电器和消费电子产品的电源部分。
V0R3A0402HQC500NCT, IRFZ44N, FDP55N06L
