时间：2025/8/14 19:08:38
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2N7002K-C 是一款常用的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于低电压开关应用。该器件采用SOT-23封装，适合在小型电子设备中使用，具有较高的可靠性和性能。该晶体管通常用于数字逻辑电路、电源管理和信号切换等应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：100mA
最大漏-源电压：60V
最大栅-源电压：20V
导通电阻：5Ω（典型值）
栅极电荷：3nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-23
2N7002K-C MOSFET具有多种显著的电气和物理特性。首先，其N沟道增强型结构确保了在栅极施加正电压时，漏极和源极之间能够形成导电通道，从而实现高效的电流控制。该器件的低导通电阻特性（典型值为5Ω）有助于减少导通状态下的功率损耗，从而提高整体电路效率。此外，该晶体管的栅极电荷较低（3nC），使得其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗并提高了响应速度。
该器件的SOT-23封装不仅体积小巧，还提供了良好的热稳定性和机械强度，非常适合空间受限的设计。其最大漏极电流为100mA，漏-源电压最大可达60V，栅-源电压限制为20V，这些参数使其适用于多种低功耗电子设备。2N7002K-C还具有较宽的工作温度范围（-55°C至150°C），使其能够在极端环境条件下稳定运行。
2N7002K-C广泛应用于各种电子设备和系统中。其主要用途包括数字逻辑电路中的开关元件、低功率电源管理电路以及信号切换应用。例如，在微控制器和数字IC的外围电路中，该晶体管可用于控制LED、继电器、小型电机和其他负载设备的开关操作。由于其高频响应能力，它也常用于PWM（脉宽调制）控制电路和DC-DC转换器中的低边开关。
2N7000, 2N7002, BSS138
