类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：115mA
　　导通电阻（RDS(on)）：约5Ω（最大）
　　功率耗散：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOT-23

2N7002K_R1_00001具有多个优良的电气和物理特性。其低栅极电荷（Qg）使其在高频开关应用中表现优异，减少开关损耗并提高效率。此外，该MOSFET具备较高的击穿电压稳定性，能够在60V的漏源电压下可靠工作，适用于多种低压控制场景。其SOT-23封装结构紧凑，便于在高密度PCB布局中使用，并具有良好的热管理能力。
　　在电气特性方面，2N7002K_R1_00001的导通电阻较低，确保在导通状态下电流流动的效率较高，减少功率损耗。同时，该器件的阈值电压（VGS(th)）通常在1V至3V之间，适合由标准逻辑电平（如3.3V或5V）直接驱动，无需额外的栅极驱动电路，从而简化设计并降低成本。
　　另外，该MOSFET具有良好的抗静电能力，能够承受一定程度的静电放电（ESD），从而增强其在实际应用中的可靠性。由于其结构设计合理，2N7002K_R1_00001在开关过程中不易产生振荡，有助于提高电路的稳定性。

2N7002K_R1_00001广泛应用于各类电子设备中，尤其是在需要低功耗、高速开关的场合。例如，它可以用于数字电路中的逻辑电平转换，将微控制器或其他逻辑器件的输出信号转换为更高电压或电流的控制信号。此外，它常被用于负载开关、LED驱动、继电器驱动、传感器接口电路以及电源管理系统中。
　　在通信设备中，2N7002K_R1_00001可用于信号路由和电源管理，以实现高效的数据传输和能量控制。在工业自动化系统中，该MOSFET可作为小型继电器或执行器的控制开关，提供快速响应和稳定性能。此外，它在消费类电子产品中也十分常见，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理和信号控制电路。

2N7002, BSS138, 2N7000, FDV301N