类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　漏极电流(Id)：115mA（连续）
　　导通电阻(Rds(on))：5Ω（最大值）
　　功率耗散：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

2N7002K R1 MOSFET具有多个显著特性，使其在电子设计中备受青睐。首先，其低导通电阻（Rds(on)）最大为5Ω，确保在导通状态下漏源之间的电压降较小，从而提高整体效率并减少热量产生。其次，该器件支持高达60V的漏源电压（Vds），适用于多种中低压应用，例如DC-DC转换器、负载开关和电机控制电路。
　　该MOSFET的栅源电压（Vgs）为±20V，具有较强的抗电压波动能力，同时确保栅极驱动电路的稳定性。其连续漏极电流能力为115mA，适用于低功耗开关应用，如数字逻辑电路和小型电源管理系统。
　　此外，2N7002K R1 采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，并具有良好的热管理性能。其最大功率耗散为300mW，在正常工作条件下可保持稳定运行，而无需额外的散热片或复杂冷却措施。
　　工作温度范围从-55°C到+150°C，使其适用于广泛的工业和消费电子应用，包括汽车电子、便携式设备和工业控制模块。这种宽温度范围也确保了器件在极端环境下的可靠性和长期稳定性。

2N7002K R1 MOSFET由于其优异的性能和紧凑的封装形式，广泛应用于多个领域。在电源管理方面，它常用于DC-DC转换器、电池充电电路和低功耗电源开关，其低导通电阻和高效率使其成为节能设计的理想选择。
　　在数字和逻辑电路中，2N7002K R1 被用作开关元件，用于控制LED、继电器、小型电机和其他负载设备。由于其响应速度快，能够实现高频开关操作，因此也适用于PWM（脉宽调制）控制电路。
　　在汽车电子中，该MOSFET用于车身控制模块、照明系统和车载娱乐系统中的信号处理和电源管理。此外，它还常见于工业自动化设备中的传感器接口和执行器控制电路。
　　由于其封装尺寸小且易于焊接，2N7002K R1 也常用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，用于优化电源使用并延长电池寿命。

2N7002, BSS138, 2N7000, FDV301N, IRLML2402