时间：2025/6/18 12:58:53
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2N7002H-7是一种增强型N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关和放大电路中。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性，适合在各种消费电子、通信设备及工业控制领域中使用。
2N7002H-7属于小型信号MOSFET系列，其性能优化使其能够胜任低压应用中的开关任务。通过栅极电压的控制，可以调节漏极电流，从而实现对负载的有效控制。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
漏极电流：300mA
功耗：400mW
导通电阻：2.5Ω
工作温度范围：-55℃至150℃
2N7002H-7具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻确保了高效的功率传输并减少了发热。
2. 快速的开关速度支持高频操作环境，适合现代电子产品的高速需求。
3. 高可靠性和稳定性使其适用于各种严苛的工作条件。
4. 小型封装设计有助于节省电路板空间，便于在紧凑型设计中使用。
5. 较宽的工作温度范围适应多种应用场景，包括高温或低温环境。
2N7002H-7广泛用于以下领域：
1. 开关电源中的同步整流器。
2. 各种消费类电子产品中的负载开关。
3. 电池保护电路，用于防止过充或过放。
4. 工业自动化系统中的信号调理与驱动电路。
5. 音频设备中的静音开关或电平转换。
6. 数据通信接口保护及隔离。
由于其出色的电气特性和紧凑的外形，2N7002H-7成为众多设计工程师的首选元器件。
BSS138, 2N7000, PMV20UN
