类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大漏极电流（ID）：110mA
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：5Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-323（SC-70）

2N7002EDWT/R具备多项优异的电气和物理特性。其N沟道增强型结构使其在低电压条件下仍能高效工作，同时具备良好的导通性能和较低的导通电阻（RDS(on)）。这使得该器件在导通状态下的功耗较低，有助于提高整体系统效率。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常可以在2.5V至10V之间工作，适合与多种控制电路兼容。
　　该器件的封装形式为SOT-323（SC-70），体积小巧，便于集成到高密度电路板中。其表面贴装设计有助于提高生产效率，并减少电路板空间占用。2N7002EDWT/R在高温环境下也能保持稳定工作，最大工作温度可达150°C，确保在严苛条件下的可靠性。
　　此外，该MOSFET具有快速开关能力，适合用于高频开关应用。其开关损耗低，能够有效减少能量损耗并提高系统响应速度。在关断状态下，漏电流极低，有助于提高电路的稳定性。2N7002EDWT/R还具有较强的抗静电能力，能够在一定程度上抵御静电放电带来的损害。

2N7002EDWT/R适用于多种低功率开关和控制应用。常见应用包括电源管理电路、LED驱动、逻辑电路接口、继电器驱动和传感器控制电路等。在消费电子产品中，如手机、平板电脑和可穿戴设备中，该器件可用于电源切换和信号控制。在工业自动化系统中，它可以用于控制小型继电器或执行器。此外，2N7002EDWT/R还可用于通信设备中的信号路由和数据开关，确保信号传输的稳定性和高效性。由于其低功耗和高可靠性，该MOSFET也适用于电池供电设备和节能型电子产品。

2N7002K, 2N7000, BSS138, FDV301N