2N7002BKS 是一款增强型 N 沱金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET),广泛应用于各种开关和放大电路中。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及高可靠性等优点,适用于需要高效能和小体积的电子设备。
2N7002BKS 的封装形式为 SOT-23 小外形晶体管封装,使其非常适合于空间受限的应用场合。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
最大漏极电流:200mA
导通电阻:1.8Ω
功耗:400mW
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
2N7002BKS 具有以下显著特点:
1. 低导通电阻:确保在导通状态下拥有较低的功率损耗,从而提高效率并减少发热。
2. 快速开关速度:适合高频应用,能够快速响应信号变化。
3. 高可靠性:通过严格的筛选和测试,保证在恶劣环境下仍能稳定工作。
4. 小尺寸封装:SOT-23 封装设计节省了印刷电路板的空间,便于实现高密度组装。
5. 宽温度范围:能够在极端温度条件下保持性能稳定,适用于工业和汽车级应用。
2N7002BKS 常见的应用领域包括:
1. 开关电源中的初级或次级侧开关。
2. 各类负载开关控制,例如 USB 端口保护。
3. 驱动小型继电器、LED 或其他低功率负载。
4. 电池管理系统中的过流保护和充电控制。
5. 数字逻辑电平转换和信号调理电路。
6. 汽车电子系统中的信号隔离和驱动电路。
2N7002KTS, BSS138, PMV20UN