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2N7002BKS 发布时间 时间:2025/4/27 12:04:17 查看 阅读:4

2N7002BKS 是一款增强型 N 沱金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET),广泛应用于各种开关和放大电路中。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及高可靠性等优点,适用于需要高效能和小体积的电子设备。
  2N7002BKS 的封装形式为 SOT-23 小外形晶体管封装,使其非常适合于空间受限的应用场合。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  最大漏极电流:200mA
  导通电阻:1.8Ω
  功耗:400mW
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

2N7002BKS 具有以下显著特点:
  1. 低导通电阻:确保在导通状态下拥有较低的功率损耗,从而提高效率并减少发热。
  2. 快速开关速度:适合高频应用,能够快速响应信号变化。
  3. 高可靠性:通过严格的筛选和测试,保证在恶劣环境下仍能稳定工作。
  4. 小尺寸封装:SOT-23 封装设计节省了印刷电路板的空间,便于实现高密度组装。
  5. 宽温度范围:能够在极端温度条件下保持性能稳定,适用于工业和汽车级应用。

应用

2N7002BKS 常见的应用领域包括:
  1. 开关电源中的初级或次级侧开关。
  2. 各类负载开关控制,例如 USB 端口保护。
  3. 驱动小型继电器、LED 或其他低功率负载。
  4. 电池管理系统中的过流保护和充电控制。
  5. 数字逻辑电平转换和信号调理电路。
  6. 汽车电子系统中的信号隔离和驱动电路。

替代型号

2N7002KTS, BSS138, PMV20UN

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2N7002BKS参数

  • 晶体管极性:?频道
  • 电流, Id 连续:300mA
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 在电阻RDS(上):1ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.6V
  • 功耗, Pd:295mW
  • 工作温度范围:-55°C 到 +150°C
  • 封装类型:SOT-363
  • 针脚数:6
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2012)
  • 功耗:295mW
  • 模块配置:双N通道
  • 漏源电压 Vds, N沟道:60V
  • 连续漏极电流 Id, N沟道:300mA
  • 通态电阻 Rds(on), N沟道:1.3ohm