时间：2025/4/30 18:06:03
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2N7002B-R1 是一款 N 沃特 (N-Channel) 增强型功率场效应晶体管 (Power MOSFET)，广泛应用于开关电源、电机驱动、音频放大器等场景。该器件具有低导通电阻和高开关速度，适合用于需要高效能转换的电子电路中。
该型号为 2N7002 系列的一个改进版本，后缀 -R1 表明可能是经过优化或特定封装的产品。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：300mA
导通电阻：2.9Ω（典型值）
功耗：480mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
2N7002B-R1 的主要特性包括：
1. 高输入阻抗，简化了驱动电路设计。
2. 快速开关能力，减少开关损耗。
3. 较低的导通电阻，有助于降低功耗。
4. 良好的热稳定性，可在较宽的温度范围内可靠工作。
5. 小型化封装，适合空间受限的应用环境。
这些特性使得该器件成为许多低功率开关应用的理想选择。
2N7002B-R1 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源中的同步整流。
2. 电池保护电路。
3. 信号切换与逻辑电平转换。
4. 小功率电机控制。
5. 音频设备中的开关控制。
其紧凑的尺寸和高效的性能使其在消费类电子产品、工业自动化和通信设备中得到了广泛应用。
2N7002, BSS138, AO3400
