时间：2025/12/25 6:32:44
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2N7002A是一款常用的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛用于开关电路和低功率放大器应用中。该器件采用小型封装形式，适合需要紧凑布局的电路设计。该晶体管具备较低的导通电阻和快速开关特性，适用于数字逻辑电路、负载开关和信号控制等应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：115mA（最大）
导通电阻（RDS(on)）：约5Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-92、SOT-23（常见）
2N7002A具备优异的开关性能，能够快速导通和关断，降低开关损耗，提高电路效率。
该器件的低导通电阻使其在导通状态下功耗较低，适用于低功耗设计。
其高栅极绝缘性能提供了良好的抗干扰能力，并防止过电压损坏。
2N7002A在高温环境下仍能稳定工作，具有良好的热稳定性。
由于其小型封装，2N7002A适合用于空间受限的PCB设计，同时具备良好的可焊性和可靠性。
该晶体管具备较高的耐用性，适用于多种电子设备和工业控制系统。
2N7002A常用于数字逻辑电路中的信号开关，作为负载开关控制电源供应。
在低功率放大电路中，可用于信号放大和缓冲器设计。
适用于传感器信号调节电路中的电平转换和驱动控制。
在通信设备中用于射频信号开关和模拟信号控制。
也可用于小型电机驱动、LED驱动和继电器驱动等应用。
2N7002K，2N7002E，BS170，2N7000，FDV301N
