时间：2025/9/11 10:27:52
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2N7002A-RTK 是一款由 Vishay Semiconductors 推出的 N 沟道增强型 MOSFET，采用小型 SOT-23 封装。该器件设计用于低电压和低电流开关应用，具有良好的导通特性和快速开关性能，适用于需要高可靠性和紧凑设计的电子电路。2N7002A-RTK 采用先进的工艺制造，确保在高温和高电流负载下仍能保持稳定工作。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：110mA
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：5Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：3.5nC
功率耗散（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
2N7002A-RTK MOSFET 具有多个关键特性，使其在低功耗开关电路中表现出色。首先，其最大漏源电压（VDS）为 60V，能够支持较高的电压切换应用，同时具备良好的击穿电压容限，确保在高压环境下工作稳定。
其次，该器件的导通电阻 RDS(on) 仅为 5Ω，这使得在导通状态下漏极和源极之间的电压降较小，从而降低了功率损耗并提高了效率。这对于电池供电设备或对功耗敏感的应用尤为重要。
此外，2N7002A-RTK 的栅极电荷 Qg 为 3.5nC，具有较快的开关速度，适用于需要频繁开关的数字控制电路。其栅源电压范围为 ±20V，提供了良好的驱动兼容性，可与常见的数字 IC 输出直接连接。
该器件的封装为 SOT-23，尺寸小巧，适合高密度 PCB 设计，同时具备良好的热稳定性。工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，适用于工业级和汽车电子应用环境。
综合来看，2N7002A-RTK 是一款性能稳定、体积小巧且适用于多种低功耗开关场景的 MOSFET，适用于现代电子设备中的控制和驱动电路。
2N7002A-RTK 主要用于低压开关、负载控制、信号路由和数字逻辑电路中。其常见的应用包括便携式电子产品中的电源管理、LED 驱动控制、继电器驱动、小型电机控制以及各种微控制器外围电路。此外，它还广泛应用于消费类电子产品、工业自动化设备和汽车电子系统中，作为低功耗、高可靠性的开关元件使用。
2N7002, 2N7002K, BSS138, FDV301N, 2N7000
