容量：4GB
　　类型：DDR4 SDRAM
　　封装：FBGA
　　电压：1.2V
　　数据速率：2400Mbps
　　组织结构：x8
　　工作温度范围：0°C 至 +85°C
　　时钟频率：1200MHz
　　CAS延迟：CL17
　　数据预取：8n预取

H5TC4G83CFR-RDAR 芯片具备多项优良特性。首先，其DDR4架构提供了比前代DDR3更高的带宽和更低的功耗，满足高性能计算和低功耗设计的需求。其次，该芯片的2400Mbps数据速率和1200MHz时钟频率确保了快速的数据访问和处理能力，适用于对性能要求较高的计算环境。此外，该芯片采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装，具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适用于紧凑型设备和高密度PCB布局。
　　在功耗管理方面，H5TC4G83CFR-RDAR 支持多种节能模式，包括自刷新（Self-Refresh）、部分阵列自刷新（Partial Array Self-Refresh, PASR）和深度掉电模式（Deep Power-Down Mode, DPDM），可有效延长移动设备的电池寿命。该芯片还支持温度补偿自刷新（Temperature Compensated Self-Refresh, TCSR）功能，以优化高温环境下的数据保持能力。
　　可靠性方面，该芯片具备较强的抗干扰能力和稳定性，支持错误校正码（ECC）功能，可检测和纠正单比特错误，提升系统稳定性。同时，其工作温度范围为0°C至+85°C，适用于大多数工业和消费类应用场景。

H5TC4G83CFR-RDAR 主要应用于需要高性能存储的设备，如高端个人电脑、工作站、服务器、工业计算机、嵌入式系统以及部分高端消费电子产品。由于其高带宽、低功耗和紧凑封装的特点，该芯片也适用于对空间和能效要求较高的便携式设备，如超极本、平板电脑和智能电视。此外，在通信设备、网络基础设施和汽车电子系统中，该芯片也可用于提升系统性能和数据处理能力。

H5TC4G63CMR-RDCT, H5AN8G64MFR-64C, H5TC4G83CFR-PB