时间：2024/7/17 14:15:42
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2N7002是一种N沟道MOS场效应晶体管，具有低电阻、低电压和高电流的特性。它是一种通用型的晶体管，被广泛应用于各种电路中。
Drain-Source电阻（RDS(on)）：2N7002的Drain-Source电阻很低，通常在0.7欧姆以下。
额定电压（VDS）：额定电压为60V，可以在这个电压范围内工作。
最大电流（ID）：最大电流为200mA，可以满足大多数低功率电路的需求。
阈值电压（VGS(th)）：阈值电压为2.5V，也就是说当Gate-Source电压大于2.5V时，晶体管才开始导通。
动态电阻（rDS(on)）：动态电阻很小，通常在0.5欧姆以下。这意味着它可以快速地开关，适用于高频电路。
它是一种表面贴装型（SMD）晶体管，采用TO-236封装。它的尺寸为3.05mm x 1.4mm x 0.95mm，重量为0.019g。
低电阻：2N7002的Drain-Source电阻很小，可以提供低电压降和高电流输出。
高电流：2N7002的最大电流为200mA，可以满足大多数低功率电路的需求。
高速开关：2N7002的动态电阻很小，可以快速地开关，适用于高频电路。
低电压：2N7002的阈值电压为2.5V，可以在低电压下工作。
低功耗：2N7002的低电阻和低电压意味着它可以在低功耗电路中使用。
2N7002是一种N沟道MOS场效应晶体管，它的工作原理基于场效应。
2N7002由三个区域组成：源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。栅极与源极之间有一层绝缘层，称为栅介质（Gate Oxide）。
当Gate-Source电压小于阈值电压时，晶体管处于截止状态，Drain-Source之间没有电流流过。当Gate-Source电压大于阈值电压时，栅介质中的电荷会被引入栅极，形成一个电场，使得漏极和源极之间形成一个导电通道，电流开始从Drain流向Source。当Gate-Source电压继续增加时，通道的电阻会减小，电流也会增加。
逻辑开关：可用作数字逻辑门的开关，例如单稳态触发器、计数器等。
电源开关：可用作电源开关，例如用于智能家居中的灯光控制。
驱动器：可用作低功率电机驱动器，例如用于电动玩具中的马达驱动。
放大器：可用作低功率信号放大器，例如用于音频放大器中的前置放大器。
