类型：N沟道MOSFET
　　封装类型：SOT-23
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大漏极电流（ID）：115mA（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：约5Ω（典型值）
　　阈值电压（VGS(th)）：1V至3V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　功耗（PD）：300mW

2N7002-SOT23具有多项显著的性能特点，首先，其N沟道增强型结构提供了良好的开关特性和较高的效率。在栅极电压控制下，器件能够在导通与截止状态之间迅速切换，适用于高频应用。导通电阻较低，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。
　　其次，该MOSFET具备较高的栅极绝缘性能，栅源电压范围可达±20V，从而增强了器件的抗干扰能力，适用于各种控制电路。此外，其阈值电压在1V至3V之间，适合与常见的逻辑电平（如5V或3.3V）配合使用，便于直接由微控制器或其他逻辑电路驱动。
　　再者，2N7002-SOT23采用SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。该封装还具备良好的散热性能，确保器件在正常工作条件下稳定运行。其工作温度范围广泛，支持从-55°C至150°C的极端环境应用。
　　最后，该器件具有较高的耐用性和稳定性，适用于多种工业、消费电子和汽车电子系统。其低功耗特性也使其非常适合电池供电设备。

2N7002-SOT23广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. 数字逻辑电路中的开关控制元件，用于构建CMOS门电路、缓冲器和电平转换器。
　　2. 小功率负载的驱动，如LED指示灯、继电器、小型风扇等。
　　3. 电池管理系统中用于控制充放电路径或电源切换。
　　4. 通信设备中的信号路由和隔离电路。
　　5. 工业控制系统中的继电器替代方案，用于实现固态开关功能。
　　6. 与微控制器配合使用的低侧开关，控制外围设备的供电。

BS170, 2N7000, 2N7002K, 2N7002LT