型号：2N7002-7-G
　　封装类型：SOT-23
　　晶体管极性：N沟道
　　漏源电压VDS：60V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：300mA
　　脉冲漏极电流IDM：1.2A
　　功耗PD：350mW
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　导通电阻RDS(on)：最大5.3Ω（当VGS=10V, ID=100mA）
　　栅极阈值电压VGS(th)：典型值2.0V，最小1.2V，最大2.5V
　　输入电容Ciss：约29pF（在VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz条件下）
　　输出电容Coss：约14pF
　　反向传输电容Crss：约4.5pF
　　开关时间（开启延迟+上升时间+关闭延迟+下降时间）：典型值分别为8ns/15ns/30ns/15ns（测试条件：VDD=30V, ID=60mA, RGEN=50Ω）

2N7002-7-G具备多项优异的电气与物理特性，使其成为小功率开关应用中的理想选择。首先，该器件采用先进的硅基平面工艺技术制造，确保了批次间的一致性和长期工作的可靠性。其低导通电阻RDS(on)在低VGS条件下即可实现高效导通，尤其在VGS=4.5V时仍能保持较低的导通损耗，这对于电池供电设备至关重要，有助于延长续航时间。
　　其次，2N7002-7-G具有出色的开关特性，包括快速的开启与关断响应时间，这使得它非常适合用于高频PWM调光、DC-DC转换器中的同步整流或负载开关控制。其输入电容和反向传输电容较小，减少了驱动电路的能量消耗，并降低了噪声耦合的风险，从而提升了系统的整体效率与电磁兼容性（EMC）。
　　再者，SOT-23封装不仅体积小巧（仅约2.9mm × 1.3mm × 1.1mm），而且具有良好的散热性能，能够通过PCB焊盘有效传导热量。这种紧凑的设计特别适用于空间受限的应用场景，如智能手机、可穿戴设备、物联网传感器节点等。同时，该封装支持自动化贴片生产，提高了组装效率和良率。
　　此外，2N7002-7-G符合国际环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对绿色制造的要求。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）也保证了在极端环境下的正常运行，例如工业控制系统、汽车电子外围电路或户外通信设备。最后，该器件内置一定的ESD防护能力，能够在一定程度上抵御静电放电冲击，增强了现场使用的鲁棒性。综合来看，2N7002-7-G凭借其高性能、高可靠性和广泛适用性，成为众多工程师首选的小信号MOSFET之一。

2N7002-7-G的应用领域非常广泛，主要集中在低电压、低功耗的数字与模拟开关电路中。一个典型应用是作为逻辑电平转换器中的驱动元件，用于连接不同电压域的微控制器与外设，例如将3.3V MCU输出信号控制5V供电的继电器或LED指示灯。在这种配置下，2N7002-7-G利用其低阈值电压特性，可以被微弱的GPIO信号直接驱动，无需额外的驱动芯片，简化了电路设计并降低成本。
　　另一个重要应用场景是在便携式电子产品的电源管理部分，用作负载开关来控制某个功能模块的供电通断，比如显示屏背光、无线模块或传感器电源。通过PWM信号调节MOSFET的导通占空比，不仅可以实现亮度调节或节能待机，还能限制浪涌电流，防止系统电压跌落影响其他组件。
　　在LED驱动方面，2N7002-7-G常用于单颗LED或多颗串联LED的恒流限幅控制。虽然它本身不具备恒流功能，但配合限流电阻或电流检测电路，可构成简单高效的开关式驱动方案，广泛应用于状态指示、按键背光或小型照明装置。
　　此外，该器件也被大量用于模拟信号切换、音频通道选择、继电器驱动缓冲级以及H桥电机驱动中的低端开关。在数字逻辑电路中，它可以替代传统的双极型晶体管（BJT），提供更高的输入阻抗和更小的驱动电流需求，从而提升系统能效。
　　在工业自动化和通信设备中，2N7002-7-G还被用于隔离控制信号、驱动光电耦合器或作为I2C总线上的上拉FET使用，以增强总线驱动能力而不增加静态功耗。总之，由于其灵活性、稳定性和成本优势，2N7002-7-G几乎出现在所有需要小型化、高效能开关功能的电子系统中。

MMBF2N7002, FDN302P, BSS138, ZVN2110ASTZ, SI2302DS, DMG2302U