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2N7002 7002 发布时间 时间:2025/8/17 2:58:25 查看 阅读:2

2N7002 是一款常用的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于开关电路、逻辑电平转换、负载控制等应用中。该器件采用小型化的 SOT-23 封装,适合在空间受限的电路中使用。2N7002 具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,是许多电子设备中常见的基础元件之一。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏极电流(ID):110mA
  最大漏-源电压(VDS):60V
  最大栅-源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):5Ω(典型值)
  栅极阈值电压(VGS(th)):1V 至 3V
  最大功耗(PD):300mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

2N7002 的主要特性包括其高开关速度和良好的热稳定性,使其适用于高频开关应用。该器件的低导通电阻(RDS(on))有助于减少导通状态下的功率损耗,提高整体效率。其栅极阈值电压范围为 1V 至 3V,使得该 MOSFET 可以与多种逻辑电平(如 3.3V 或 5V 系统)兼容,适用于微控制器驱动的电路。此外,2N7002 采用 SOT-23 小型封装,具有良好的散热性能,并且易于在印刷电路板(PCB)上安装和布局。该器件的高可靠性使其成为工业控制、消费电子和汽车电子中的常见选择。
  由于其封装尺寸小、性能稳定,2N7002 也常用于 LED 控制、继电器驱动、小型电机控制和电池供电设备中的开关电路。该 MOSFET 还具备一定的抗静电能力,增强了其在实际应用中的耐用性。

应用

2N7002 主要应用于低功率开关电路、逻辑电平转换、LED 控制、继电器驱动、小型电机控制、电池管理系统、微控制器外围电路以及各种消费类电子产品和工业控制系统中。

替代型号

BS170, 2N7000, IRLML2402, FDV301N

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