2N7002 12W 时间：2025/8/17 13:59:17 阅读：4

2N7002 12W是一款常见的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电路和放大电路中。该器件采用TO-126封装，具有良好的导通特性和较高的工作电压能力。2N7002是标准的逻辑电平MOSFET，可直接由微控制器或其他数字电路驱动，适用于中低功率的电子设计。其12W的功耗能力使其在许多应用场景中具有较高的散热性能。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-126
　　最大漏极电流（ID）：110mA（连续）
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约5Ω（典型值）
　　最大功耗（PD）：12W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　阈值电压（VGS(th)）：1V至3V
　　漏极-源极击穿电压（BVDSS）：60V

特性

2N7002 12W具有多项优异的电气特性，适用于多种电子电路设计。首先，它具有较低的输入驱动需求，可直接由逻辑电平驱动，简化了控制电路的设计。其次，该器件的导通电阻较低，提高了能量传输效率，降低了发热损耗。此外，2N7002具备较高的漏源击穿电压（60V），使其适用于多种中高压应用场景。其TO-126封装提供了良好的散热性能，确保在高功率操作下的稳定性。该器件还具有较快的开关速度，适用于高频开关应用，同时具备较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗。此外，2N7002的阈值电压范围较宽（1V至3V），适应性强，便于在不同电路中使用。由于其结构简单、性能稳定，因此广泛应用于工业控制、消费电子、自动化系统等领域。