类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：115mA（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：约5Ω（最大）
　　功率耗散：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

2N7002(A) MOSFET具有多项显著的特性，适用于多种电子电路设计。首先，它具有较低的栅极电荷（Qg），这使得在高频开关应用中能够实现更快的开关速度，从而降低开关损耗，提高系统效率。其次，该器件具有较低的导通电阻（RDS(on)），通常在5Ω左右，这有助于在导通状态下减少电压降和功耗，提高整体能效。
　　此外，2N7002(A)的漏源击穿电压为60V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中低压开关应用。其栅源电压范围为±20V，具有良好的栅极稳定性，防止因过高的栅极电压导致器件损坏。同时，其封装形式为SOT-23，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。
　　该MOSFET还具有良好的热稳定性和可靠性，在-55°C至+150°C的温度范围内均能正常工作，适应性强。适用于电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关、LED驱动电路、继电器驱动以及逻辑电平接口等应用场合。综合来看，2N7002(A)是一款性能稳定、用途广泛的N沟道MOSFET，是许多电子设计中的理想选择。

2N7002(A) MOSFET广泛应用于多种电子电路中，尤其是在需要高效开关控制的场合。它常用于数字电路中的逻辑驱动，例如与微控制器或逻辑门电路配合，控制外部负载如LED、继电器或小型直流电机。由于其低导通电阻和快速开关特性，该器件也常用于DC-DC转换器和电源管理系统中，作为高效的功率开关元件。
　　此外，2N7002(A)适用于电池供电设备，如便携式电子产品、无线传感器和低功耗物联网设备，用于优化能源使用和延长电池寿命。在工业自动化系统中，它可以用于控制小型执行器、电磁阀和传感器模块。由于其封装小巧，也适用于高密度PCB布局和表面贴装工艺。在汽车电子系统中，该器件可用于车载照明控制、ECU（电子控制单元）中的信号切换以及车载充电器等应用。总的来说，2N7002(A)是一款多功能的MOSFET，适用于广泛的电子设计和应用场景。

2N7000, BSS138, 2N7002K, 2N7002E